[发明专利]缺陷修正装置和缺陷修正方法无效
申请号: | 201110261864.5 | 申请日: | 2011-09-06 |
公开(公告)号: | CN102412114A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 冈亚希子;泉岳;本多友明 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B23K26/00;G02F1/13 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及缺陷修正装置和缺陷修正方法。所述缺陷修正装置包括:缺陷检测设备,其用于检测多层基板中的重复图案内的缺陷;缺陷修正设备,其用于通过规定的缺陷修正方法修正所述多层基板中的所述缺陷;及控制设备,其用于在检测到由所述缺陷检测设备所检测的所述缺陷与认为发生层间短路缺陷的区域重叠时,生成与用于所述层间短路缺陷的所述缺陷修正方法相对应的对象,并通过使用所生成的对象控制用于修正所述缺陷的所述缺陷修正设备。根据本发明,能够在提高层间短路缺陷的缺陷修正过程的工作效率的同时,提高缺陷修正的质量。 | ||
搜索关键词: | 缺陷 修正 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种缺陷修正装置,其包括:缺陷检测设备,其用于检测多层基板中的重复图案内的缺陷;缺陷修正设备,其用于通过规定的缺陷修正方法修正所述多层基板中的所述缺陷;及控制设备,其用于在检测到由所述缺陷检测设备所检测的所述缺陷与认为发生层间短路缺陷的区域重叠时,生成与用于所述层间短路缺陷的所述缺陷修正方法相对应的对象,并通过使用所生成的对象控制用于修正所述缺陷的所述缺陷修正设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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