[发明专利]一种自动调节传输管与下拉管强度的8管存储单元无效
| 申请号： | 201110261904.6 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102360567A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 温亮;李振涛;徐庆光;郭阳;陈书明;张家胜;刘详远;唐涛 | 申请（专利权）人： | 湖南麓谷飞腾微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4197 | 分类号： | G11C11/4197 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明的一种自动调节传输管与下拉管强度的8管存储单元，在标准的6管存储单元的基础上，增加了两个可调节传输管与下拉管强度的NMOS管，以实现一种根据读写操作类型进行自动调节传输管与下拉管强度的8管存储单元结构。当存储单元进行写操作时，传输管的强度被加强，提高了存储单元的写噪声容限，并加快了写操作的速度；当存储单元进行读操作时，下拉管的强度被加强，提高了存储单元的读噪声容限同时加快了数据读操作的速度。本发明的8管存储单元具有静态噪声容限大，稳定性好，读写速度快等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自动 调节 传输 拉管 强度 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种自动调节传输管与下拉管强度的8管存储单元，包括由上拉PMOS管P1、上拉PMOS管P2、下拉NMOS管N1、下拉NMOS管N2、传输NMOS管N5和传输NMOS管N6构成的标准6管存储单元结构上，所述标准6管存储单元结构连接有存储单元的读写字线WL和作为互补位线的位线BL与位线BLB，其特征在于，标准6管存储单元结构上增加有可调节传输管与下拉管强度的NMOS管N3、NMOS管N4这两个晶体管，构成8管存储单元，NMOS管N3的栅极接数据存储结点QB，漏极接数据存储结点Q，源极则接列选字线CL；NMOS管N4的栅极接数据存储结点Q，漏极接数据存储结点QB，源极则同样接列选字线CL。
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