[发明专利]一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置

摘要

一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置，涉及一种原子层沉积装置。它解决现有技术中前驱体与衬底或上一原子层接触的均匀性差、反应物利用率低和材料生长周期长导致的沉积效率低问题。该装置包括反应腔室、第一前驱体容器、第二前驱体容器、辅助吹扫气体容器、第一气体供应管路、第二气体供应管路、辅助吹扫气体供应管路、均匀进气系统和腔体盖等，所述第一气体供应管路、第二气体供应管路、辅助吹扫气体供应管路分别与第一前驱体容器、第二前驱体容器、辅助吹扫气体容器相连接；所述第一气体供应管路、第二气体供应管路分别通过反应腔室的腔体盖与反应腔室内的均匀进气系统连通；所述均匀进气系统固定在腔体盖下部。该装置适合于科研和生产需要。

主权项

一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置，该装置包括真空系统(3)、反应腔室(14)、第一前驱体容器(8)、第二前驱体容器(9)、辅助吹扫气体容器(13)、第一气体供应管路(10)、第二气体供应管路(11)和辅助吹扫气体供应管路(12)；其特征在于，反应腔室(14)内设有均匀进气系统(4)、衬底台(5)、腔体盖(6)和衬底(19)，所述第一气体供应管路(10)与第一前驱体容器(8)相连接，第二气体供应管路(11)与第二前驱体容器(9)相连接，辅助吹扫气体供应管路(12)与辅助吹扫气体容器(13)相连接；所述第一气体供应管路(10)和第二气体供应管路(11)分别通过腔体盖(6)与均匀进气系统(4)连通；所述辅助吹扫气体容器(13)通过辅助吹扫气体供应管路(12)与反应腔室(14)相连接；所述均匀进气系统(4)固定在腔体盖(6)下部；所述衬底(19)设置在衬底台(5)上表面；所述真空系统(3)设置在反应腔室(14)下部且与反应腔室(14)相连接。