[发明专利]一种制备碳纳米管垂直阵列的方法有效
| 申请号： | 201110263453.X | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102424375A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 钟国仿 | 申请（专利权）人： | 钟国仿 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 王蕊;张一军 |
| 地址： | 102208 北京市昌*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备碳纳米管垂直阵列的方法。所述方法包括如下步骤：(1)在基片表面上沉积厚度为3-20纳米的铝膜；(2)根据需要在室温下氧化或者在低于200摄氏度的温度下氧化所述铝膜；(3)在所述铝膜或氧化铝膜上沉积0.2-1.0纳米的催化剂层；(4)在所述催化剂层上沉积不厚于0.5纳米的铝膜；(5)在0.1-100毫巴低压还原性气氛中对所述步骤(4)的产物进行预热或预处理；(6)在550-850摄氏度的生长温度引入0.1％-50％浓度的碳源气体进行单壁碳纳米管垂直阵列的生长。发明克服了或至少减轻现有技术制备单壁碳纳米管的弊端，通过尽可能简单的技术和工艺实现单壁碳纳米管垂直阵列的制备，对单壁碳纳米管的直径、密度和长度可进行非常有效的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 垂直 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制备碳纳米管垂直阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在基片表面上沉积厚度为3‑20纳米的铝膜；(2)在所述铝膜上沉积0.2‑1.0纳米厚的催化剂层；(3)在所述催化剂层上沉积不厚于0.5纳米的铝膜。
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