[发明专利]碲化镉薄膜沉积的蒸发源及其制备方法无效
| 申请号： | 201110263471.8 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102978573A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋猛;刘志强 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 中国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碲化镉（CdTe）薄膜沉积的蒸发源及其制备方法，属于薄膜太阳电池技术领域。该制备方法包括以下步骤：（1）按比例混合形成包括镉金属粉末和碲单质粉末的粉末混合物；（2）将所述粉末混合物平铺于热蒸发设备的热蒸发源上；以及（3）在500℃至900℃的温度条件下蒸镀至平整的蒸发源衬底上形成碲化镉化合物。应用该制备方法制备形成该发明的蒸发源。该制备方法和蒸发源具有成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化镉 薄膜 沉积 蒸发 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种蒸发源的制备方法，所述蒸发源用于制备碲化镉薄膜太阳电池的碲化镉薄膜，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）按比例混合形成包括镉金属粉末和碲单质粉末的粉末混合物；（2）将所述粉末混合物平铺于热蒸发设备的热蒸发源上；以及（3）在500℃至900℃的温度条件下蒸镀至平整的蒸发源衬底上形成碲化镉化合物。
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