[发明专利]半导体集成电路制造方法

摘要

一种半导体集成电路制造方法，采用脉冲等离子体进行刻蚀，通过周期性的施加脉冲功率以产生等离子体，由于具有比连续波等离子体更低的电子温度和等离子体密度，使得等离子体损伤被大大地降低，极大的避免凹槽效应的形成；另外，在鞘层电压降低的情况下，当电负性等离子体注入到高深宽比孔结构中时能够中和累积的正电荷粒子，从而可以缓和甚至消除正电荷与电子间的不平衡，以获得理想的刻蚀形貌。

主权项

一种高深宽比孔结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：在等离子体刻蚀机的腔体中通入所需的刻蚀反应气体，采用脉冲等离子体刻蚀待刻蚀层，得到所需的高深宽比孔结构；其中，所述脉冲等离子体是在所述等离子体刻蚀机的腔体的源端和偏置端均连接脉冲功率；所述脉冲功率由多个脉冲周期组成，通过调节脉冲功率的脉冲频率和脉冲占空比的来实现对所产生的等离子体的控制；所述脉冲功率的每个脉冲周期中均具有开启状态和关闭状态，在开启状态下，所述脉冲功率用于等离子体的产生。