[发明专利]一种提高晶体管载流子迁移率的PMOS结构无效
| 申请号： | 201110265259.5 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446971A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高晶体管载流子迁移率的PMOS器件，包括：具有若干成对有源区的衬底，每一对有源区之间形成有沟道；栅极，位于所述沟道上方；所述成对有源区的外围的两侧分别设置有浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区至所述沟道的距离为第一宽度；若干通孔，其底端接触所述有源区，另一端竖直向上；位于所述栅极同一侧的两相邻通孔之间具有第一间距，所述第一间距满足在所述两相邻通孔之间形成浅沟槽隔离区的延伸段；两相邻通孔底端之间的有源区具有第二宽度，所述第二宽度为所述浅沟槽隔离区的延伸段至所述沟道的距离，所述第二宽度小于所述第一宽度；所述浅沟槽隔离区的材料的热膨胀系数小于所述有源区的材料的热膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 晶体管 载流子 迁移率 pmos 结构 | ||
【主权项】：
一种提高晶体管载流子迁移率的PMOS器件，包括：具有若干成对有源区的衬底，每一对有源区之间形成有沟道；栅极，位于所述沟道上方；所述成对有源区的外围的两侧分别设置有浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区至所述沟道的距离为第一宽度；若干通孔，其底端接触所述有源区，另一端竖直向上；其特征在于，位于所述栅极同一侧的两相邻通孔之间具有第一间距，所述第一间距满足在所述两相邻通孔之间形成浅沟槽隔离区的延伸段；两相邻通孔底端之间的有源区具有第二宽度，所述第二宽度为所述浅沟槽隔离区的延伸段至所述沟道的距离，所述第二宽度小于所述第一宽度；所述浅沟槽隔离区的材料的热膨胀系数小于所述有源区的材料的热膨胀系数。
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