[发明专利]集成深结深器件和浅结深器件的方法无效
| 申请号： | 201110265262.7 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446852A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 周维;范永洁;魏峥颖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在本发明提供了一种集成深结深器件和浅结深器件的方法，包括在基座上形成栅极蚀刻掩模层；通过蚀刻形成栅极，并使得栅极或栅极和蚀刻掩模层组合的厚度满足所在区域的结深器件注入离子时的要求；完成所述结深器件所需的离子注入；去除所述蚀刻掩模层。本发明借助栅极蚀刻掩模层，实现深结深工艺与浅结深工艺并存，整合了不同结深的器件到同一个工艺流程中。为特殊工艺的集成提供了更为广阔的应用空间。并且操作简便易行，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 深结深 器件 浅结深 方法 | ||
【主权项】：
一种集成深结深器件和浅结深器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在基座上形成栅极蚀刻掩模层；步骤2，通过蚀刻形成栅极，并使得栅极或栅极和蚀刻掩模层组合的厚度满足所在区域的结深器件注入离子时的要求；步骤3，完成所述结深器件所需的离子注入；步骤4，去除所述蚀刻掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
