[发明专利]一种利用侧向边墙技术提高STI凹陷区特性的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种利用侧向边墙技术提高STI凹陷区特性的方法。本发明公开了一种利用侧向边墙技术提高STI凹陷区特性的方法，在标准STI工艺中，通过适当的工艺步骤，在沟槽氧化物的侧壁形成一个氮化硅材质的侧墙，其中氮化硅通过等离子体增强化学气相淀积方法生长。该侧墙在垫氧化物层以及输入输出区（厚栅氧区）的氧化物去除过程中，作为牺牲层，通过自己的腐蚀减少沟槽氧化物的侧壁在湿法过程中的损失，从而减小沟槽氧化物的侧壁位置处的凹陷程度。达到保护沟槽氧化物的侧壁及其上拐角的目的，以控制生成的凹陷区的形貌。

主权项

一种利用侧向边墙技术提高STI凹陷区特性的方法，采用标准的STI工艺，在垫氮化层去除之后，于衬底上形成填充有沟槽氧化物的浅沟槽，垫氧化物层覆盖衬底的上表面及部分临近衬底的凸起沟槽氧化物的侧壁，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1；淀积氮化物层覆盖垫氧化物层的上表面、凸起沟槽氧化物的上表面及其暴露出的侧壁；步骤S2：刻蚀去除位于凸起沟槽氧化物上表面及部分位于垫氧化物层上表面的氮化物层，形成覆盖凸起沟槽侧壁及其临近的垫氧化物层的部分上表面的侧墙;步骤S3：刻蚀去除垫氧化物层、部分沟槽氧化物，其中，侧墙同时被去除。