[发明专利]一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法有效
申请号: | 201110265302.8 | 申请日: | 2011-09-08 |
公开(公告)号: | CN102417306A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 顾梅梅;王科;陈建维;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | C03C17/00 | 分类号: | C03C17/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,其中,主要包括以下步骤:在反应腔室内的等离子体环境中通入氧气,使所述等离子体与氧气混合,利用等离子体的能量,使得氧气与PSG薄膜中的不稳定的磷原子发生反应,形成位于PSG薄膜表面的一层钝化膜,以防止PSG薄膜中磷与空气中的氢、氧反应。发明一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,有效的使在反应腔室中通入氧气使高密度等离子体与氧气混合,达到磷硅玻璃4的表面形成钝化膜,阻断水气与硼、磷接触造成结晶。 | ||
搜索关键词: | 一种 解决 浓度 psg 薄膜 表面 雾状 颗粒 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,其特征在于,主要包括以下步骤: 在反应腔室内的等离子体环境中通入氧气,使所述等离子体与氧气混合,利用等离子体的能量,使得氧气与PSG薄膜中的不稳定的磷原子发生反应,形成位于PSG薄膜表面的一层钝化膜,以防止PSG薄膜中磷与空气中的氢、氧发生反应。
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