[发明专利]一种使用双大马士革工艺同时形成铜接触孔和第一层金属的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种使用双大马士革工艺同时形成铜接触孔和第一层金属的方法。本发明公开了一种使用双大马士革工艺同时形成铜接触孔和第一层金属的方法，通过双大马士革工艺同时形成接触孔和第一金属层，及使用铜取代钨作为接触孔的材质，同时利用TaN/WSiN或者TaSiN/WSiN材料代替TaN/Ta作为阻挡层的材料，不仅简化了工艺步骤，减小接触孔的接触电阻，以有效改善后道工艺的延迟特性，且有效的增加了阻挡层对于铜扩散的阻挡能力，以避免铜扩散对于半导体器件的损伤。

主权项

一种使用双大马士革工艺同时形成铜接触孔和第一层金属的方法，其前层为完成器件形成及金属硅化物淀积的晶圆，在一衬底中形成的阱区及STI隔离区的上方设置有第一、二栅极，并且在第一、二栅极的侧壁上覆盖有偏移侧墙，金属硅化物层覆盖第一、二栅极的上表面及第一栅极的源漏极，且第一栅极和其阱区之间设置有一栅氧化层，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：淀积电介质层以覆盖薄氧化层金属硅化物层、第一栅极的源漏极、第一栅极偏移侧墙和第二栅极偏移侧墙；步骤S2：采用双大马士革工艺，刻蚀位于第一栅极源漏极上方的电介质层分别至第一栅极的源漏极上的金属硅化物层，形成第一栅极源极接触孔及其第一层金属凹槽和第一栅极漏极接触孔及其第一层金属凹槽，同时刻蚀位于第二栅极上方的电介质层至金属硅化物层，形成第二栅极接触孔及其第一层金属凹槽；步骤S3：淀积粘附层，覆盖第一栅极的源漏极接触孔及其第一层金属凹槽和第二栅极接触孔及其第一层金属凹槽的侧壁及其底部；之后，淀积扩散阻挡层覆盖粘附层后，再淀积金属铜并对其进行平坦化处理。