[发明专利]具有场板的宽能带隙晶体管装置在审
| 申请号： | 201110265486.8 | 申请日： | 2004-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102306658A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | P·帕里克;吴益逢 | 申请（专利权）人： | 美商克立股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚;李琴 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种晶体管结构，其包含一活性半导体层与所形成的与该活性层电接触的金属源极与漏极接点。在源极与漏极接点之间形成一栅极接点以用于调节该活性层内的电场。于该活性层上形成一分隔层，且于该分隔层上形成一导电场板，其自栅极接点的边缘向漏极接点延伸距离Lf。该场板电连接至该栅极接点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 能带 晶体管 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：多个活性半导体层；与所述多个活性层电接触的源极接点；与所述多个活性层电接触的漏极接点，其中位于所述多个活性层的最上部上的所述源极接点与所述漏极接点之间存在空间；与所述多个活性层的所述最上部电接触且位于所述源极与所述漏极接点之间的栅极；形成于所述多个活性层的所述最上部的表面上并位于所述栅极与所述漏极接点之间的由单晶材料构成的分隔层；直接位于所述分隔层上且与所述栅极成一体的场板，所述场板减小峰值运作电场。
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