[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110265728.3 | 申请日： | 2006-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102324405A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 池田靖;中村真人;松吉聪;佐佐木康二;平光真二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488;B23K35/26;H05K3/34;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有半导体元件、被连接部件和连接所述被连接部件的连接部件，且所述连接部件为钎料，所述被连接部件在与所述连接材料连接的表面上形成有所述Ni层，所述连接部件为Sn类钎料，含有Cu6Sn5化合物和以Cu6Sn5之外的成分为主成分的Sn类钎料相，所述Ni层的与所述连接部件连接的区域被所述Cu6Sn5化合物被覆，所述Cu6Sn5化合物一方面与所述Sn类钎料相连接，另一方面通过所述Ni层与所述被连接部件连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有半导体元件、被连接部件和连接所述被连接部件的连接部件，且所述连接部件为钎料，所述被连接部件在与所述连接材料连接的表面上形成有所述Ni层，所述连接部件为Sn类钎料，含有Cu6Sn5化合物和以Cu6Sn5之外的成分为主成分的Sn类钎料相，所述Ni层的与所述连接部件连接的区域被所述Cu6Sn5化合物被覆，所述Cu6Sn5化合物一方面与所述Sn类钎料相连接，另一方面通过所述Ni层与所述被连接部件连接。
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