[发明专利]用于生长晶体的装置及用该装置生长晶体的方法无效
| 申请号： | 201110265814.4 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102296353A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 盛建明;王平;胡董成;张雪平 | 申请（专利权）人： | 江苏同人电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 212000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于晶体生长的装置，其包括保温层、加热器、坩埚、支撑杆，以及温度梯度控制装置，其中温度梯度控制装置包括隔热层、以及支撑隔热层的支柱；隔热层设置在加热器的下端部和保温层底部之间；支柱设置在隔热层下方，并且可以带动隔热层上下移动。本发明另一方面还提供一种用于晶体生长的方法，包括以下步骤：将籽晶和原料放在坩埚中，加热器升温，向所述坩埚底部吹送冷却气体使籽晶不被熔化，升温过程中，使温度梯度控制装置朝向远离所述加热器的下端部的方向移动，在原料熔化后，增加所述冷却气体，使晶体从籽晶处开始生长，在晶体生长完成后，使温度梯度控制装置反向移动。根据本发明可有效地控制晶体生长过程，提高晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 晶体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于晶体生长的装置，所述装置包括保温层(2)、设置在所述保温层(2)中的加热器(1)、设置在所述加热器(1)中的坩埚(7)、以及支撑所述坩埚(7)的支撑杆(6)，其特征在于，所述装置还包括温度梯度控制装置，其中：所述温度梯度控制装置包括隔热层(3)、以及支撑所述隔热层(3)的支柱(4)；所述隔热层(3)设置在所述加热器(1)的下端部和所述保温层(2)底部之间；并且所述支柱(4)设置在所述隔热层(3)下方支撑所述隔热层(3)，并且可以带动所述隔热层(3)上下移动。
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