[发明专利]带金属敏感夹层的器件深槽刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110266111.3 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102344113A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 杨海波;马清杰;吕宇强 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带金属敏感夹层的器件深槽刻蚀方法，包括步骤：提供硅衬底，其上有缓冲层；在缓冲层上淀积金属敏感层；将金属敏感层图形化，形成金属线间低台阶、金属管脚焊垫区域和金属反应线；在缓冲层和图形化的金属敏感层表面淀积钝化层；在钝化层表面形成光刻胶掩模并作图形化，光刻胶掩模的图形与金属线间低台阶的位置相对应；依次刻蚀钝化层和缓冲层，直至露出硅衬底，形成深槽；对深槽底部的硅衬底进行深槽刻蚀，形成体硅深槽。本发明可随设计方案控制槽体深度和金属敏感层中间夹层位置，便于与深槽中媒介反应，形成钝化层-金属敏感夹层-硅结构这种三明治结构，具有成本低、工艺稳定和设计灵活的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 敏感 夹层 器件 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种带金属敏感夹层的器件深槽刻蚀方法，包括步骤：提供硅衬底(001)，其上形成有缓冲层(002)；在所述缓冲层(002)上淀积金属敏感层(003)；利用光刻及金属干法刻蚀工艺将所述金属敏感层(003)图形化，直至露出所述缓冲层(002)，形成金属线间低台阶(004)、金属管脚焊垫区域(005)和金属反应线(006)；在所述缓冲层(002)和图形化的所述金属敏感层(003)表面淀积钝化层(007)；在所述钝化层(007)表面形成用于深槽刻蚀的光刻胶掩模并作图形化，所述光刻胶掩模的图形与其下所述金属线间低台阶(004)的位置相对应；以所述光刻胶为掩模，依次刻蚀所述钝化层(007)和所述缓冲层(002)，直至露出所述硅衬底(001)，形成深槽(008)；对所述深槽(008)底部的所述硅衬底(001)进行深槽刻蚀，在所述硅衬底(001)中形成体硅深槽(009)。
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