[发明专利]大尺寸的六角形双层石墨烯单晶畴及其制备方法有效
| 申请号： | 201110266167.9 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102995119A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;毕辉;万冬云;林天全 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B29/60;C30B29/68;C30B25/00;C01B31/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料领域，涉及一种新型的大尺寸六角形双层石墨烯单晶畴及其制备方法。所述制备方法包括采用金属单质及其多元合金作为催化剂，利用化学气相沉积法制备六角形石墨烯单晶畴。石墨烯单晶畴为双层结构，其质量优异，双层覆盖率90％以上。本发明工艺简单，过程易控制，适合于晶体管和光调制器等微纳米电子及光子器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 六角形 双层 石墨 烯单晶畴 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸的六角形双层石墨烯单晶畴的制备方法，所述石墨烯为六角形单晶结构，石墨烯层数为两层，双层石墨烯覆盖率大于90％；所述制备方法包括：(1)以金属单质和多元合金为催化剂，放入化学气相沉积反应室，加热至反应温度400‑1100℃，恒温0‑60分钟；(2)导入碳源、氢气和保护气，气体流量为1‑1000sccm，反应时间1分钟至‑20小时；(3)反应过程中保持气体流量，反应完毕后，控制降温速率在10‑300℃/min之间，由此获得六角形双层石墨烯单晶畴。
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