[发明专利]一种MOS器件结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110266253.X | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102306660A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;张亮;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件结构，其侧墙为低K介质层，从而可以减弱高K厚栅MOS器件源漏的边缘电场通过侧墙的电容耦合影响沟道的效应，有效抑制高K厚栅介质MOS器件的短沟道效应，提高MOS器件的性能；同时，公开了一种MOS器件制备方法，该方法通过在侧墙材料淀积过程中进行碳掺杂，使所述侧墙材料的介电常数大大降低，从而可以减弱高K厚栅MOSFET源漏的边缘电场通过侧墙的电容耦合影响沟道的效应，有效抑制高K厚栅介质层MOSFET的短沟道效应，提高MOS器件的性能，且该方法简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件结构，其特征在于，所述MOS器件的栅氧化层为高K厚栅介质层，其侧墙为低K介质层。
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