[发明专利]一种改进的硬质掩膜与多孔低介电常数值材料的集成方法

摘要

本发明公开了一种改进的硬质掩膜与多孔低介电常数值材料的集成方法，主要包括以下步骤：在第一介质层上沉积一层刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积一层金属中间介质层；在所述金属中间介质层上沉积一层第一层硬质掩膜层；在所述第一层硬质掩膜层上积淀一层第二层硬质掩膜层HfO2层；在HfO2层上积淀一层底部抗反射涂层，并在所述底部抗反射涂层上涂覆一层光刻胶；对所述光刻胶进行光刻工艺并在所述光刻胶中形成开口；利用所述光刻胶中的开口对所述第一层硬质掩膜层、所述HfO2层、所述金属中间介质层以及刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的暴露在通孔底部的区域进行刻蚀，使得所述通孔与所述下导电层接触。

主权项

一种改进的硬质掩膜与多孔低介电常数值材料的集成方法，其中，在一第一介质层中形成一第一沟槽，并且在所述第一沟槽中填充构成一下导电层的金属铜，其特征在于，主要包括以下步骤：    在所述第一介质层上沉积一层刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层同时覆盖在所述下导电层上；在所述刻蚀阻挡层上沉积一层金属中间介质层；在所述金属中间介质层上沉积一层第一层硬质掩膜层；在所述第一层硬质掩膜层上积淀一层第二层硬质掩膜层，所述第二层硬质掩膜层为HfO2层；在第二层硬质掩膜层上积淀一层底部抗反射涂层，并在所述底部抗反射涂层上涂覆一层光刻胶；对所述光刻胶进行光刻工艺并在所述光刻胶中形成开口；利用所述光刻胶中的开口对所述第一层硬质掩膜层、所述第二层硬质掩膜层进行刻蚀，形成位于第一、第二层硬质掩膜中的开口；利用所述第一、第二层硬质掩膜中的开口，对所述金属中间介质层进行刻蚀，刻蚀停止在所述金属中间介质层中，形成位于金属中间介质层中的第二沟槽；对所述金属中间介质层位于所述第二沟槽的底部的区域进行刻蚀，形成位于第二沟槽底部的通孔，并继续对所述刻蚀阻挡层的暴露在通孔底部的区域进行刻蚀，使得所述通孔与所述下导电层接触。