[发明专利]形成非平面晶体管的方法有效
| 申请号： | 201110266577.3 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103000518A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 戴圣辉;黄瑞民;蔡振华;蔡世鸿;林建廷 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成非平面晶体管的方法。首先提供基底，基底上定义有有源区以及周边区。接合于基底的有源区中形成多个超浅沟槽隔离。然后移除各超浅沟槽隔离的部分，以暴露出基底的部分侧壁。于基底上的有源区以及周边区上形成导电层，并覆盖住基底的部分侧壁。图案化导电层，使得该导电层在该周边区中形成平面晶体管的栅极，而位于有源区中同时形成至少一非平面晶体管的栅极。于非平面晶体管的栅极的两侧形成源极/漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 平面 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种形成非平面晶体管的方法，包括：提供基底，该基底上定义有有源区以及周边区；于该基底的该有源区中形成多个超浅沟槽隔离；移除各超浅沟槽隔离的部分，以使各超浅沟槽隔离间暴露出的该基底构成多个鳍状结构；于该基底上的该有源区以及该周边区上形成导电层，并覆盖各鳍状结构；图案化该导电层，使得该导电层在该周边区中形成平面晶体管的栅极，而同时于该有源区中形成至少一非平面晶体管的栅极；以及于该非平面晶体管的该栅极两侧的该鳍状结构中形成源极/漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
