[发明专利]半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法无效
| 申请号： | 201110266824.X | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102306626A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 朱俊;廖秀尉;郝兰众;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，涉及微电子器件制备领域。本发明包括下述步骤：(1)在已制作了源电极和漏电极的GaN基半导体异质结构上涂覆正性光刻胶；(2)通过曝光和显影工艺对光刻胶进行微图形化，留下合适的区域制作MgO掩膜；(3)沉积MgO薄膜；(4)剥离光刻胶，留下直接沉积在基片上的MgO薄膜作为掩膜；(5)依次沉积铁电氧化物薄膜层和金属层；(6)剥离MgO掩膜，留下直接沉积在基片上的铁电氧化物薄膜层和金属层作为半导体异质结场效应管的栅结构。本发明制备方法简单，而且对GaN基半导体异质结构的损伤较小，不会对器件的性能造成太大的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 异质结 场效应 晶体管 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)在已制作了源电极和漏电极的GaN基半导体异质结构上涂覆正性光刻胶；(2)通过曝光和显影工艺对光刻胶进行微图形化，留下合适的区域制作MgO掩膜；(3)沉积MgO薄膜；(4)剥离光刻胶，同时剥离光刻胶上的MgO薄膜，留下直接沉积在基片上的MgO薄膜作为掩膜；(5)依次沉积铁电氧化物薄膜层和金属层；(6)剥离MgO掩膜，同时剥离MgO掩膜上的铁电氧化物薄膜层和金属层，留下直接沉积在基片上的铁电氧化物薄膜层和金属层作为半导体异质结场效应管的栅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
