[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110266920.4 | 申请日： | 2005-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102306635A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 宫田修;葛西正树;樋口晋吾 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具备：具有钝化膜的半导体芯片；设在所述钝化膜上且用于密封所述半导体芯片的表面侧的密封树脂层。所述密封树脂层蔓延到所述钝化膜的侧面，且被覆该侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：具有钝化膜的半导体芯片；和设在所述钝化膜上的用于吸收并缓和从外部施加的应力的应力缓和层，所述应力缓和层蔓延到所述钝化膜的侧面，且被覆该侧面。
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