[发明专利]偏振无关的准位相匹配倍频器及其制作方法有效
申请号: | 201110267035.8 | 申请日: | 2011-09-09 |
公开(公告)号: | CN102338966A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 石剑虹;袁亮;郑远林;陈险峰;王杰 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G02F1/37 | 分类号: | G02F1/37;H01S3/109 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种偏振无关的准位相匹配倍频器的实现方案。根据室温下的位相匹配条件计算出周期;根据此周期,选择两块相同的晶体进行室温极化;泵浦基频光源选择出射光为随机偏振的光纤激光器;光路中,第一块晶体的c轴沿z方向,第二块晶体的c轴沿y向,在第一块晶体前放置消偏器;通光后用功率计测量倍频光的光强,即可实现偏振无关的准位相匹配倍频器。本发明简单可行,能克服倍频过程对基频光偏振方向依赖的弊端,同时可以适用于和频、差频、参量振荡、级联等其他非线性过程。 | ||
搜索关键词: | 偏振 无关 位相 匹配 倍频器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种偏振无关的准位相匹配倍频器,其特征在于,包括在光路中依次摆放的消偏器和第一周期性极化铌酸锂晶体片和第二周期性极化铌酸锂晶体片;其中,所述第一周期性极化铌酸锂晶体片和所述第二周期性极化铌酸锂晶体片光学性能相同,分别为Z向切割的铌酸锂晶体经过室温电场极化制成,所述室温电场极化为在铌酸锂晶体片的+Z面上负畴区域改变电畴极化方向;所述光路的方向为x‑y‑z坐标系中的x方向;所述第一周期性极化铌酸锂晶体片的c轴沿z方向,所述第二周期性极化铌酸锂晶体片的c轴沿y方向。
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