[发明专利]非易失性存储器件及其感测方法有效
| 申请号： | 201110267108.3 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102779553A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 金东槿 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够利用电阻变化来感测多电平数据的非易失性存储器件及其感测方法。所述非易失性存储器件包括单元阵列和感测单元。单元阵列包括读出数据或写入数据的多个单位单元。感测单元在对位线预充电之后在感测使能信号的激活时间段期间将与储存在单位单元中的数据相对应的感测电压与参考电压相比较，放大/输出比较的结果，测量在感测电压响应于单位单元的电阻值而被放电的放电时间上的不同，且响应于测量的结果而感测数据。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：包括多个单位单元的单元阵列；和感测单元，所述感测单元被配置为响应于感测使能信号而将与储存在所述单位单元中的数据相对应的感测电压与参考电压进行比较，并放大比较的结果以产生输出信号，其中，在对位线预充电之后，所述感测单元在所述感测使能信号的激活时间段期间，测量在所述感测电压响应于与所述单位单元的电阻值相对应的位线的电压电平而被放电的时间上的不同，且响应于测量的结果来感测数据。
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