[发明专利]一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提出一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管的制备方法。该制备方法包含：步骤1、柔性衬底的清洗，步骤2、使用PECVD沉积SiNx隔离层；步骤3、制备栅电极图形；步骤4、制备栅绝缘层；步骤5、制备IGZO半导体层，步骤6、制备源漏电极；步骤7、制备保护层；步骤3中包括：采用直流磁控溅射方法制备IT0与Cr薄膜，其中Cr层作为对准标记使用，将制备好的薄膜通过涂胶，烘烤、光刻，显影，刻蚀和去胶技术生成栅电极图形。通过降低沉积温度，优化保护层的沉积功率和氮化硅绝缘层的厚度，成功制备柔性半透明IGZO-TFT器件。

主权项

一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管的制备方法，包含：步骤1、柔性衬底的清洗，步骤2、使用PECVD沉积SiNx隔离层；步骤3、制备栅电极图形；步骤4、制备栅绝缘层；步骤5、制备IGZO半导体层，步骤6、制备源漏电极；步骤7、制备保护层；其特征在于，步骤3中包括：采用直流磁控溅射方法制备ITO与Cr薄膜，其中Cr层作为对准标记使用，将制备好的薄膜通过涂胶，烘烤、光刻，显影，刻蚀和去胶技术生成栅电极图形；其中，ITO/Cr电极的刻蚀是硝酸铈铵混合溶液，配比为：9ml高氯酸+25g硝酸铈铵+100ml去离子水，刻蚀时间大约为25s；电极图形制备好以后，用丙酮超声去胶，接着用乙醇和去离子水清洗，每种溶剂超声6‑8min。