[发明专利]一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201110267190.X | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102832251A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王彬 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管。该柔性半透明IGZO薄膜晶体管，包含缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极、塑料衬底、IGZO半导体层以及保护层，塑料衬底上覆盖缓冲保护层；栅电极位于缓冲保护层的中心顶部区域以及两端的顶部区域；栅电极的中心区域上部覆盖栅绝缘层，栅绝缘层的两端分别覆盖至缓冲保护层上；在栅绝缘层的上部采用磁控溅射方法制备IGZO半导体层；源、漏两极位于半导体层的顶部的两侧，从而使半导体层被源极和漏极所覆盖，仅在半导体层的顶部，源漏两极的中间形成通道，保护层覆盖整个通道。通过降低沉积温度，优化保护层的沉积功率和氮化硅绝缘层的厚度，成功制备柔性半透明IGZO-TFT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 半透明 igzo 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管，包含缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极、塑料衬底、IGZO半导体层以及保护层，塑料衬底上覆盖缓冲保护层；其特征在于，栅电极位于缓冲保护层的中心顶部区域，并在缓冲保护层的两端的顶部区域形成对准标记层；栅电极的中心区域上部覆盖栅绝缘层，栅绝缘层的两端分别覆盖至缓冲保护层上；在栅绝缘层的上部采用磁控溅射方法制备IGZO半导体层；源、漏两极分别位于半导体层的顶部的两侧，半导体层被源极和漏极所覆盖，仅在半导体层的顶部，源漏两极的中间形成通道，在通道中覆盖保护层。
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