[发明专利]包括基于镉的光伏打材料的电池无效
申请号: | 201110267919.3 | 申请日: | 2011-06-24 |
公开(公告)号: | CN102386262A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | E·沙莱;E·彼得 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 段家荣;林森 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 光电池(100),包括至少一种玻璃透明衬底(10),保护叠层(30),后者至少包括:薄膜(5),包括至少一种基于镉并具有光伏打特性的材料;构成所述光伏打层(5)两侧的电极的两个层(3,6),一个下电极,安排得比较接近衬底,和另一个上电极;至少所述下电极层(3)是TCO类型的透明导电氧化物;所述电池的特征在于,在所述下电极层(3)和所述光伏打薄膜(5)之间包括至少一个基本上由氮化镓GaN,任选部分镓被铝替代的层(4),所述层的物理厚度严格地小于20nm。 | ||
搜索关键词: | 包括 基于 光伏打 材料 电池 | ||
【主权项】:
光电池(100),包括至少一个玻璃透明衬底(10),保护叠层(30),至少包括:●薄膜(5),包括至少一种基于镉并具有光伏打特性的材料;●两个层(3,6),构成所述光伏打层(5)两侧的电极,一个下电极(3),放置于最接近衬底;和另一个上电极(6);至少所述下电极层(3)是TCO类型的透明导电氧化物;所述电池的特征在于,在所述下电极层(3)和所述光伏打薄膜(5)之间包括至少一个基本上由氮化镓GaN构成的层(4),任选部分用铝Al替代,所述层的物理厚度严格地小于20nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的