[发明专利]MOS表面栅极侧壁层的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110268002.5 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103000520A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 吴金刚;刘焕新;韦庆松;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS表面栅极侧壁层的刻蚀方法，包括：提供MOS器件，包括设置于衬底上的栅极、源漏极以及栅极与源漏极之间设置的侧壁层；对所述MOS器件利用干法刻蚀掉部分侧壁层；对经过干法刻蚀后的MOS器件进行臭氧水浸渍；对经过臭氧水浸渍后的MOS器件进行湿法刻蚀。采用干法刻蚀实现在尚未对源漏极掺杂区域产生破坏时刻蚀掉部分侧壁层材料；臭氧水浸渍形成了掺杂区域表面的氧化硅保护膜，在湿法刻蚀时，磷酸和侧壁层的氮化硅材料反应以刻蚀掉侧壁层，而保护膜防止了磷酸对掺杂区域的刻蚀。本发明中，臭氧水浸渍和湿法刻蚀过程可以交替进行，以进一步保护掺杂区域。本发明在刻蚀侧壁层的同时保护了掺杂区域，避免了对MOS器件性能的损害。 | ||
| 搜索关键词： | mos 表面 栅极 侧壁 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS表面栅极侧壁层的刻蚀方法，包括：提供MOS器件，所述MOS器件包括衬底以及所述衬底上设置的栅极、源漏极以及栅极与源漏极之间设置的侧壁层；对所述MOS器件利用干法刻蚀掉部分侧壁层；对经过干法刻蚀后的MOS器件进行臭氧水浸渍；对经过臭氧水浸渍后的MOS器件进行湿法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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