[发明专利]半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201110268210.5 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102332508A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李园;赵东晶 | 申请（专利权）人： | 王楚雯;赵东晶 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层之上的多个第一掩膜阻挡结构，且每两个所述第一掩膜阻挡结构之间具有第一开口；第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层之上，且所述第二半导体层填充所述第一开口；和形成在所述第二半导体层之上的多个第二掩膜阻挡结构，且每两个所述第二掩膜阻挡结构之间具有第二开口，其中，所述每个第二掩膜阻挡结构形成在每个所述第一开口之上；以及第三半导体层，所述第三半导体层形成在所述第二半导体层之上，且所述第三半导体层填充所述第二开口。本发明实施例能够提高薄膜的生长厚度和生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的第一半导体层，所述第一半导体层由第一化合物半导体材料构成；形成在所述第一半导体层之上的多个第一掩膜阻挡结构，每两个所述第一掩膜阻挡结构之间具有第一开口；第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层之上，且所述第二半导体层填充所述第一开口，所述第二半导体层由所述第一化合物半导体材料构成；形成在所述第二半导体层之上的多个第二掩膜阻挡结构，每两个所述第二掩膜阻挡结构之间具有第二开口，其中，所述每个第二掩膜阻挡结构形成在每个所述第一开口之上以阻挡所述第二半导体层从所述第一开口向上延伸的位错缺陷；和第三半导体层，所述第三半导体层形成在所述第二半导体层之上，且所述第三半导体层填充所述第二开口，所述第三半导体层由所述第一化合物半导体材料构成。
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