[发明专利]基于Abbe矢量成像模型获取非理想光刻系统空间像的方法有效
申请号: | 201110268257.1 | 申请日: | 2011-09-09 |
公开(公告)号: | CN102323721A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 李艳秋;董立松;马旭 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 李爱英;杨志兵 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于Abbe矢量成像模型获取非理想光刻系统空间像的方法,具体步骤为将掩模图形M栅格化为N×N个子区域;并根据部分相干光源的形状将光源面栅格化成多个点光源,用每一栅格区域的中心点坐标(xs,ys)表示该栅格区域所对应的点光源坐标;计算各点光源照明时非理想光刻系统中晶片位置上的空间像I(αs,βs);并根据阿贝Abbe方法,对各点光源对应的空间像I(αs,βs)进行叠加,获取部分相干光源照明时非理想光刻系统中晶片位置上的空间像I。本发明能够将光源面栅格化成多个点光源,并具备分析光刻投影系统标量像差、偏振像差和光刻系统离焦参数等功能。因此该方法获取的空间像精确度高,该方法可有效的应用于分辨率增强技术优化方法的研究。 | ||
搜索关键词: | 基于 abbe 矢量 成像 模型 获取 理想 光刻 系统 空间 方法 | ||
【主权项】:
一种基于Abbe矢量成像模型的获取非理想光刻系统空间像的方法,其特征在于,具体步骤为:步骤101、将掩膜图形M栅格化为N×N个子区域;步骤102、根据部分相干光源的形状将光源面栅格化成多个点光源,用每一栅格区域中心点坐标(xs,ys)表示该栅格区域所对应的点光源坐标;步骤103、根据光刻系统的离焦量δ,获取由所述离焦量δ引起的光刻系统中传播光线的相位变化量ξ(α′,β′);步骤104、获取表示光刻系统光程差的标量像差矩阵W(α′,β′)和表示光刻系统偏振像差的偏振像差矩阵J(α′,β′),其中(α′,β′,γ′)是晶片上全局坐标系进行傅立叶变换后的坐标系;步骤105、针对单个点光源,利用其坐标(xs,ys)、入射光相位的变化量ξ(α′,β′)、标量像差矩阵W(α′,β′)及偏振像差矩阵J(α′,β′),获取该点光源照明时,非理想光刻系统中晶片位置上的空间像I(αs,βs);步骤106、判断是否已经计算出所有单个点光源照明时,非理想光刻系统中晶片位置上的空间像,若是,则进入步骤107,否则返回步骤105;步骤107、根据Abbe方法,对各点光源对应的空间像I(αs,βs)进行叠加,获取部分相干照明时,晶片位置上的空间像I。
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