[发明专利]一种基于Abbe矢量成像模型的相移掩膜优化方法

摘要

本发明提供一种基于Abbe矢量成像模型的相移掩膜优化方法，该方法通过设置三维相移掩膜中相邻开口以及中央透射区域的相位，使其具有180°的相位差；设置变量矩阵Ω，将目标函数D构造为目标图形与当前掩膜对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方；利用变量矩阵Ω以及目标函数D引导相移掩膜图形的优化。采用本发明优化后的相移掩膜不但适用于小NA的情况，也适用于NA＞0.6的情况。

主权项

1.一种基于Abbe矢量成像模型的相移掩膜优化方法，其特征在于，具体步骤为：步骤101、将大小为N×N的目标图形作为初始掩膜图形M，并设定初始掩膜上各开口所对应的相位，使得通过相邻开口的光线具有180°的相位差；步骤102、针对初始掩膜图形M上不同相位对应的开口设置不同的透射率1或-1，设置阻光区域透射率为0；设定N×N的变量矩阵Ω：当M(x，y)＝1时，当M(x，y)＝-1时，当M(x，y)＝0时，其中M(x，y)表示掩膜图形上各像素点对应的透射率；步骤103、将目标函数D构造为目标图形与当前掩膜对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方，即其中为目标图形的像素值，Z(x，y)表示利用Abbe矢量成像模型计算当前掩膜对应的光刻胶中成像的像素值；步骤104、计算目标函数D对于变量矩阵Ω的梯度矩阵步骤105、利用最陡速降法更新变量矩阵Ω，其中s为预先设定的优化步长；获取对应当前Ω的掩膜图形步骤106、计算当前掩膜图形对应的目标函数值D；当D小于设定阈值或者更新变量矩阵Ω的次数达到预定上限值时，进入步骤107，否则返回步骤104；步骤107，终止优化，将当前掩膜图形确定为经过优化后的掩膜图形。