[发明专利]基于Abbe矢量成像模型的光学邻近效应校正的优化方法有效
申请号: | 201110268330.5 | 申请日: | 2011-09-09 |
公开(公告)号: | CN102323723A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 马旭;李艳秋;董立松 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/36 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 李爱英;杨志兵 |
地址: | 100081 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种基于Abbe(阿贝)矢量成像模型的光学邻近效应校正的优化方法,本方法设置掩膜中开口部分以及阻光部分的透射率,设置变量矩阵Ω,将目标函数D构造为目标图形与当前掩膜对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方;利用变量矩阵Ω以及目标函数D引导掩膜图形的优化。采用本发明优化后的掩膜不但适用于小NA的情况,也适用于NA>0.6的情况。同时本发明利用优化目标函数的梯度信息,结合最陡速降法对掩膜图形进行优化,优化效率高。 | ||
搜索关键词: | 基于 abbe 矢量 成像 模型 光学 邻近 效应 校正 优化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于Abbe矢量成像模型的光学邻近效应校正的优化方法,其特征在于,具体步骤为:步骤101、将掩膜图形M初始化为大小为N×N的目标图形
步骤102、设置初始掩膜图形M上开口部分的透射率为1,阻光区域的透射率为0;设定N×N的变量矩阵Ω:当M(x,y)=1时,
当M(x,y)=0时,
其中M(x,y)表示掩膜图形上各像素点的透射率;步骤103、将目标函数D构造为目标图形与当前掩膜对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方,即
其中
为目标图形的像素值,Z(x,y)表示利用Abbe矢量成像模型计算当前掩膜对应的光刻胶中成像的像素值;步骤104、计算目标函数D对于变量矩阵Ω的梯度矩阵
步骤105、利用最陡速降法更新变量矩阵Ω,
其中s为预先设定优化步长,获取对应当前Ω的掩膜图形![]()
步骤106、计算当前掩膜图形
对应的目标函数值D;当D小于预定阈值或者更新变量矩阵Ω的次数达到预定上限值时,进入步骤107,否则返回步骤104;步骤107,终止优化,并将当前掩膜图形
确定为经过优化后的掩膜图形。
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