[发明专利]晶圆级封装有效
| 申请号： | 201110268843.6 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102398888A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;林宗贤;朱家骅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶圆级封装的方法包括：提供具有埋氧层和顶部氧化层的基板，以及蚀刻基板，以在埋氧层上形成开口和在开口之间形成微型机电系统(MEMS)谐振器元件，MEMS谐振器元件被包围在埋氧层，顶部氧化层，以及侧壁氧化层中。该方法进一步包括：使用多晶硅填充开口，以形成邻近MEMS谐振器元件的多晶硅电极，移除邻近MEMS谐振器元件的顶部氧化层和侧壁氧化层，将多晶硅电极与互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆或载具晶圆之一接合，移除邻近MEMS谐振器元件的埋氧层，以及将基板与盖晶圆接合，以密封CMOS晶圆或载具晶圆之一和盖晶圆之间的MEMS谐振器元件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供包括埋氧层和顶部氧化层的基板；蚀刻所述基板，以在所述埋氧层上形成多个开口，并且在所述开口之间形成微型机电系统(MEMS)谐振器元件，所述MEMS谐振器元件围在所述埋氧层，所述顶部氧化层以及侧壁氧化层内；用多晶硅填充所述开口，以形成邻近MEMS谐振器元件的多晶硅电极；移除顶部氧化层和邻近MEMS谐振器元件的侧壁氧化层；将所述多晶硅电极与互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆或载具晶圆之一相接合；移除邻近所述MEMS谐振器元件的所述埋氧层；以及将所述基板与盖晶圆接合，以密封所述CMOS晶圆或所述载具晶圆之一和所述盖晶圆之间的所述MEMS谐振器元件。
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