[发明专利]用于薄膜太阳电池的透明导电基板的制备方法无效
申请号: | 201110268948.1 | 申请日: | 2011-09-13 |
公开(公告)号: | CN102324446A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 褚君浩;赵守仁;王善力;张传军;曹鸿;邬云华;潘建亮;孙鹏超 | 申请(专利权)人: | 上海太阳能电池研究与发展中心 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于薄膜太阳电池的透明导电基板的制备方法,该方法的特征是通过对玻璃基板的两个表面作喷沙处理及一面蒸镀减反层,另一面蒸镀透明导电膜,再作腐蚀处理,使其二表面形成陷光结构,大大增加了其有效光透过,有效增加了到达电池吸收层的透光率。及对透明导电基板的钢化处理,增加了基板的抗冲击强度、抗弯强度和耐高温冲击,可明显提高最后组成的太阳电池组件的各项安全指标,有利于产品的标准认证。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 太阳电池 透明 导电 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于薄膜太阳电池的透明导电基板的制备方法:其特征在于步骤如下:§A将玻璃基板(1)放在卧式结构的喷砂设备中,腔体内为负压,上下喷嘴同时对玻璃基板二面作喷砂处理,使玻璃基板二面的平均粗糙度达1‑50μm,使之具有绒面特性;§B然后把玻璃基板放入HF酸液腐蚀槽中,HF酸浓度为1‑10%,腐蚀时间根据雾度要求而定,雾度要求范围:1~10%;§C在玻璃基板的一面采用PECVD或浸镀或磁控溅射镀减反膜(2),减反膜满足n d=λ/4条件,n为折射率,d为厚度;§D对镀减反膜后的玻璃基板作钢化处理,钢化温度为600‑800℃,钢化时间根据玻璃厚度决定,通过钢化处理固化减反膜;§E采用磁控溅射或MOCVD或LPCVD镀透明导电膜,厚度为500‑1000nm;§F利用CH3COOH或HCl溶液腐蚀导电膜表面,使其表面为“陨石坑”或“弹坑”状绒面结构,平均粗糙度为σrms=50‑200nm。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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