[发明专利]用于薄膜太阳电池的透明导电基板的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110268948.1 申请日: 2011-09-13
公开(公告)号: CN102324446A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 褚君浩;赵守仁;王善力;张传军;曹鸿;邬云华;潘建亮;孙鹏超 申请(专利权)人: 上海太阳能电池研究与发展中心
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/20
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 201201 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种用于薄膜太阳电池的透明导电基板的制备方法,该方法的特征是通过对玻璃基板的两个表面作喷沙处理及一面蒸镀减反层,另一面蒸镀透明导电膜,再作腐蚀处理,使其二表面形成陷光结构,大大增加了其有效光透过,有效增加了到达电池吸收层的透光率。及对透明导电基板的钢化处理,增加了基板的抗冲击强度、抗弯强度和耐高温冲击,可明显提高最后组成的太阳电池组件的各项安全指标,有利于产品的标准认证。
搜索关键词: 用于 薄膜 太阳电池 透明 导电 制备 方法
【主权项】:
一种用于薄膜太阳电池的透明导电基板的制备方法:其特征在于步骤如下:§A将玻璃基板(1)放在卧式结构的喷砂设备中,腔体内为负压,上下喷嘴同时对玻璃基板二面作喷砂处理,使玻璃基板二面的平均粗糙度达1‑50μm,使之具有绒面特性;§B然后把玻璃基板放入HF酸液腐蚀槽中,HF酸浓度为1‑10%,腐蚀时间根据雾度要求而定,雾度要求范围:1~10%;§C在玻璃基板的一面采用PECVD或浸镀或磁控溅射镀减反膜(2),减反膜满足n d=λ/4条件,n为折射率,d为厚度;§D对镀减反膜后的玻璃基板作钢化处理,钢化温度为600‑800℃,钢化时间根据玻璃厚度决定,通过钢化处理固化减反膜;§E采用磁控溅射或MOCVD或LPCVD镀透明导电膜,厚度为500‑1000nm;§F利用CH3COOH或HCl溶液腐蚀导电膜表面,使其表面为“陨石坑”或“弹坑”状绒面结构,平均粗糙度为σrms=50‑200nm。
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