[发明专利]双3D结构的二氧化锰薄膜电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201110269256.9 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102436936A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 徐华蕊;颜东亮;朱归胜;杨会娟;俞兆喆 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01G9/048 | 分类号： | H01G9/048 |
| 代理公司： | 广西南宁汇博专利代理有限公司 45114 | 代理人： | 邹超贤 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级电容器用具有双重3D结构的二氧化锰薄膜电极及其制备方法，采用具有3D结构的泡沫镍等泡沫金属集流体上覆盖另一3D结构的二氧化锰薄膜组成。其制备方法是在泡沫镍等泡沫金属集流体上通过水热的方法直接反应制备得到二氧化锰薄膜。所述水热制备过程包括集流体清洗、溶液配制以及水热反应等步骤。所制备的薄膜电极具有双重3D结构，且而作为超级电容器的电极具有良好的电容特性及较高的储能特性。同现有技术相比较，本发明制备得到的超级电容器用二氧化锰薄膜电极，较现有二氧化锰电极具有更大的活性物质与电解液接触面积，具有更高的活性物质利用率和更高的比容量。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 二氧化锰 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双3D结构的二氧化锰薄膜电极，其特征在于：在具有3D结构的泡沫镍集流体上覆盖有另一层3D结构的二氧化锰薄膜，组成双3D结构的二氧化锰薄膜电极。
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