[发明专利]一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风及其制备方法有效
| 申请号： | 201110269419.3 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102333254A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 缪建民 | 申请（专利权）人： | 华景传感科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H04R1/08 | 分类号： | H04R1/08;H04R31/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风及其制备方法，其包括背极板硅基及振膜硅基；背极板硅基上设有CMOS电路，背极板硅基对应设置CMOS电路的表面上淀积有电绝缘层，电绝缘层上设有金属键合层，金属键合层与CMOS电路的连接端电连接；背极板硅基上设有若干声孔；振膜硅基对应于与背极板硅基相连的表面设有振膜，振膜硅基内设有贯通振膜硅基的深坑，所述深坑位于声孔的正上方，且深坑与声孔对应分布；振膜硅基对应于设置振膜的表面键合安装于金属键合层上，振膜通过金属键合层与CMOS电路电连接，振膜与下电极间隙配合。本发明可与CMOS电路芯片垂直集成，简化生产工艺及其封装结构，降低生产成本，增强器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 电路 纵向 集成 mems 麦克风 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，包括背极板硅基（1）及位于所述背极板硅基（1）上方振膜硅基（9）；其特征是：所述背极板硅基（1）上对应于与振膜硅基（9）相连的另一侧设有CMOS电路（2），背极板硅基（1）对应设置CMOS电路（2）的表面上淀积有电绝缘层，所述电绝缘层上设有金属键合层（7），所述金属键合层（7）与CMOS电路（2）的连接端电连接；背极板硅基（1）上设有若干声孔（18），所述声孔（18）位于振膜硅基（9）的正下方，且声孔（18）从金属键合层（7）的表面向下延伸贯通背极板硅基（1），背极板硅基（1）对应于设置声孔（18）表面的金属键合层（7）形成下电极（6）；振膜硅基（9）对应于与背极板硅基（1）相连的表面设有导电振膜，振膜硅基（9）内设有贯通振膜硅基（9）的深坑（14），所述深坑（14）位于声孔（18）的正上方，且深坑（14）与声孔（18）对应分布；振膜硅基（9）对应于设置振膜的表面键合安装于金属键合层（7）上，导电振膜通过金属键合层（7）与CMOS电路（2）电连接，导电振膜与下电极（6）间隙配合。
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