[发明专利]一种刻录方法无效
| 申请号： | 201110269480.8 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102306622A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 辛丽华 | 申请（专利权）人： | 众网软件科技（大连）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/312;G03F7/00 |
| 代理公司： | 大连科技专利代理有限责任公司 21119 | 代理人： | 龙锋 |
| 地址： | 116000 辽宁省大连市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻录方法，该方法包括如下步骤：在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶，刻录胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增加；刻胶完成后，进行曝光；曝光完成后，进行显影；显影完成后，进行蚀刻；蚀刻完成后，移除剩余的刻录胶。实施本发明的刻录方法，通过在晶圆的被腐蚀层表面镀刻录胶时将胶的分布厚度进行控制来获得均匀度较好的电路图形，让晶圆各个位置图形的失真情况一致，方便采用传统方法进行校正，从而控制性刻图形的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻录 方法 | ||
【主权项】：
一种刻录方法，其特征在于：包括如下步骤，S1、在晶圆的被蚀刻层表面镀刻录胶，刻录胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增加；S2、刻胶完成后，进行曝光；S3、曝光完成后，进行显影；S4、显影完成后，进行蚀刻；S5、蚀刻完成后，移除剩余的刻录胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
