[发明专利]PMOS晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110270181.6 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103000523A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PMOS晶体管结构及其制造方法，先通过在有源区的沟道区域形成埋置碳硅层，增大了沟道区域的应力，提高了PMOS晶体管载流子迁移率；再通过在栅极结构两侧的有源区中形成埋置锗硅层，即形成了具有埋置锗硅层的源漏区，进一步地增大了沟道区域的应力；同时，埋置碳硅层还阻挡源漏区后续工艺中注入的硼离子的外扩散，有利于形成更浅的超浅结，从而改善阈值电压的分布，降低短沟道效应，进一步提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底中形成有浅沟槽隔离结构和有源区；在所述有源区中形成埋置碳硅层；在所述有源区上方形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的有源区中形成埋置锗硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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