[发明专利]调控背电极从优取向达到高效率铜铟镓硒的技术无效
| 申请号： | 201110270454.7 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103000750A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 郑佳仁;刘幼海;刘吉人 | 申请（专利权）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201707 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于一种可提升铜铟镓硒(CIGS)太阳电池光电转换效率的方法，藉由调整背电极Mo的从优取向，而调整吸收层的纵向结构，并改善介面性质，达到高效率的目标。本发明为一种可改善铜铟镓硒(CIGS)太阳电池填充因子与电流密度的方法，藉由调整底层的背电极从优取向为来成长铜铟镓硒吸收层，主要是经由调整背电极Mo的成长压力来形成所需的(110)从优取向强度，如此可增强铜铟镓硒的(220/204)取向，而提升铜铟镓硒(CIGS)太阳电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 电极 从优 取向 达到 高效率 铜铟镓硒 技术 | ||
【主权项】：
本发明关于一种可提升铜铟镓硒太阳电池光电转换效率的方法，藉由调整背电极 Mo的从优取向，进而调整吸收层的纵向结构，并改善介面性质，达到铜铟镓硒组件高效 率的目标。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉富新能源科技(上海)有限公司，未经吉富新能源科技(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110270454.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
