[发明专利]一种大面积完美量子点及其阵列制造方法有效
| 申请号： | 201110271043.X | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102290435A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 兰红波;丁玉成 | 申请（专利权）人： | 青岛理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 266033 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积完美量子点及其阵列制造方法。首先，在衬底缓冲层之上沉积一层薄的电介质层，采用软紫外纳米压印和刻蚀工艺在电介质层上制作出纳米孔图形阵列；然后，以制备的图形化衬底为模板，使用选择性外延生长工艺，在图形窗口区域纳米孔内生长种子层量子点，去除电介质层，得到种子层；在种子层之上生长隔离层，在隔离层之上垂直堆积生长量子点，获得大面积完美量子点及其阵列。该方法充分结合并利用具有电介质层的图形化衬底、选择性外延生长和垂直堆积生长工艺的优势。实现大小和形状高度均匀、成核位置精确控制、长程有序、光学特性好以及无缺陷的大面积完美量子点的制造，具有成本低、生产效率高、适合规模化生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 完美 量子 及其 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积完美量子点及其阵列制造方法，其特征是，在衬底所包括的缓冲层之上沉积一层薄的电介质层，采用软紫外纳米压印和刻蚀工艺在电介质层上制备出纳米孔图形阵列，形成图形化衬底；以制备的图形化衬底为模板，使用选择性外延生长工艺，在图形窗口区域纳米孔内先生长种子层量子点，然后去除电介质层，最后得到种子层；在种子层之上生长隔离层，在隔离层之上垂直堆积生长量子点，获得大面积完美量子点及其阵列。
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