[发明专利]一种薄膜倒装光子晶体LED芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201110271067.5 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102299243A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 兰红波;丁玉成 | 申请（专利权）人： | 青岛理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/20 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 266033 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜倒装光子晶体LED芯片及其制造方法，它包括一个基板，基板之上设有薄膜倒装的LED芯片，基板和薄膜倒装的LED芯片之间通过焊料连接；所述基板包括散热基座和在其上设有的彼此独立的金属层I、II，所述薄膜倒装的LED芯片是，在包含有光子晶体结构的N型半导体层下表面的一个区域自上向下依次设有发光层、P型半导体层、金属反射层、P型欧姆接触电极，其中P型欧姆接触电极通过焊料与金属层I连接，在下表面的另一个区域设有N型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极通过焊料与金属层II连接。本发明有效的提高出光效率、降低外延片位错密度、减小热阻，改善散热性能，提供了一种实现大功率、高亮度LED芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 倒装 光子 晶体 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜倒装光子晶体LED芯片，其特征在于，包括：一个基板，基板之上设有薄膜倒装的LED芯片，基板和薄膜倒装的LED芯片之间通过焊料连接；所述基板包括散热基座和在其上设有的彼此独立的金属层I、II，所述薄膜倒装的LED芯片是，在包含有光子晶体结构的N型半导体层下表面上的一个区域，自上向下依次设有发光层、P型半导体层、金属反射层、P型欧姆接触电极，所述P型欧姆接触电极与金属层I连接；在下表面上的另一个区域，设有N型欧姆接触电极、所述N型欧姆接触电极与金属层II连接。
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