[发明专利]场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110271827.2 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102694023A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 手塚勉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了场效应晶体管及其制造方法。根据一个实施例，场效应晶体管包括：设置在含Ge衬底(10)的一部分上并且主要包含Ge02层(21)的栅极绝缘膜(20)；设置在栅极绝缘膜(20)上的栅电极(30)；设置在衬底(10)中以便把栅电极(30)下面的沟道区夹在中间的源极-漏极区(50)；以及在栅极绝缘膜(20)的两侧部分上形成的含氮区(25)。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于包括：设置在含Ge衬底的一部分上并且至少包含GeO2层的栅极绝缘膜；设置在栅极绝缘膜上的栅电极；设置在衬底中以便把栅电极下面的沟道区夹在中间的源极‑漏极区；以及在栅极绝缘膜的两侧部分上形成的含氮区。
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