[发明专利]晶体管构造体、晶体管构造体的制造方法及发光装置有效
| 申请号： | 201110271928.X | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102403362A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 山本和人 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L27/02;H01L21/336;H01L21/77;H05B33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供晶体管构造体、晶体管构造体的制造方法及发光装置。晶体管构造体具备：第1薄膜晶体管，具备第1栅电极、第1绝缘膜、第1半导体膜、覆盖第1半导体膜的第2绝缘膜、及在第2绝缘膜上的与第1半导体膜对应的位置上设置的第1遮光膜；及第2薄膜晶体管，具备在第1绝缘膜上设置的第2半导体膜、覆盖第2半导体膜的第2绝缘膜、在第2绝缘膜上的与第2半导体膜对应的位置上设置的第2栅电极及在第1绝缘膜下的与第2半导体膜对应的位置上设置的第2遮光膜；第1半导体膜及第2半导体膜从第1绝缘膜侧沿着厚度方向具有第1区域和第2区域，第1区域和第2区域的一方的硅的结晶度比第1区域和第2区域的另一方的硅的结晶度高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 构造 制造 方法 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管构造体，其特征在于具备：第1薄膜晶体管，具备第1栅电极、覆盖所述第1栅电极的第1绝缘膜、在所述第1绝缘膜上的与所述第1栅电极对应的位置上设置的第1半导体膜、覆盖所述第1半导体膜的第2绝缘膜、及在所述第2绝缘膜上的与所述第1半导体膜对应的位置上设置的第1遮光膜；及第2薄膜晶体管，具备在所述第1绝缘膜上设置的第2半导体膜、覆盖所述第2半导体膜的所述第2绝缘膜、在所述第2绝缘膜上的与所述第2半导体膜对应的位置上设置的第2栅电极、及在所述第1绝缘膜下的与所述第2半导体膜对应的位置上设置的第2遮光膜；所述第1半导体膜及所述第2半导体膜从所述第1绝缘膜侧沿着厚度方向，具有第1区域和第2区域，所述第1区域和所述第2区域的一方的硅的结晶度，比所述第1区域和所述第2区域的另一方的所述硅的结晶度高。
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