[发明专利]用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构无效
| 申请号： | 201110272045.0 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN103000374A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 徐道安;毛翔宇 | 申请（专利权）人： | 扬州凯普电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/005;H01G4/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 225600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构，包括底层、介质层和外层，所述底层为中留边双面金属化薄膜，所述介质层为光膜，所述外层为双留边金属化薄膜，所述中留边双面金属化薄膜的留边处的光膜宽为3mm，所述双留边金属化薄膜的留边处的光膜宽为2.5mm。本发明采用常用原料，与现行的薄膜电容工艺部分兼容，电容器具有良好过电流及自愈能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘 栅双极型 晶体管 吸收 电容 薄膜 电容器 结构 | ||
【主权项】：
一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构，其特征在于：包括底层、介质层和外层，所述底层为中留边双面金属化薄膜，所述介质层为光膜，所述外层为双留边金属化薄膜，所述中留边双面金属化薄膜的留边处的光膜宽为3mm，所述双留边金属化薄膜的留边处的光膜宽为2.5mm。
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