[发明专利]半导体晶片热处理设备及方法

摘要

本发明公开了一种半导体晶片热处理设备及方法，涉及半导体晶片工艺技术领域，该热处理设备包括：加热器、工艺管、密封板、进气管、排气管、气体采集单元和氧气含量测量单元，工艺管的管口垂直向下，工艺管部分置于加热器中，工艺管的管口外沿处设置有法兰，密封板通过法兰与工艺管连接，排气管的入口设于工艺管的侧壁邻近管口处，进气管的出口设于工艺管上与管口相对的一端，气体采集单元与排气管的出口连接，氧气含量测量单元与气体采集单元连接。本发明通过设置气体采集单元和氧气含量测量单元，精确地测量热处理设备的反应腔室内部氧气含量，直至反应内部氧气含量低于一定阈值后，再进行热处理工艺，以保证硅晶片的生产质量。

主权项

一种半导体晶片热处理设备，其特征在于，所述热处理设备包括：加热器(1)、工艺管(2)、密封板(3)、进气管(4)、排气管(5)、气体采集单元(6)和氧气含量测量单元(7)，所述工艺管(2)的管口垂直向下，所述工艺管(2)部分置于所述加热器(1)中，所述工艺管(2)的管口外沿处设置有法兰(8)，所述密封板(3)通过所述法兰(8)与所述工艺管(2)连接，所述排气管(5)的入口设于所述工艺管的侧壁(2)邻近管口处，所述进气管(4)的出口设于所述工艺管(2)上与管口相对的一端，所述气体采集单元(6)与所述排气管(5)的出口连接，所述氧气含量测量单元(7)与所述气体采集单元连接(6)。