[发明专利]带侧壁保护的腔体制造方法无效
| 申请号： | 201110272065.8 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102285637A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 夏佳杰;张挺;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带侧壁保护的腔体制造方法，包括：提供硅基底，在其上形成第一保护层；刻蚀第一保护层，形成多个窗口；刻蚀硅基底，在其中形成多个浅槽；在第一保护层表面和浅槽侧壁及底部淀积第二保护层；刻蚀第一保护层表面和浅槽底部的第二保护层，残留在浅槽侧壁上的第二保护层形成侧壁保护层；刻蚀浅槽，在硅基底中形成多个深槽；腐蚀多个深槽，在硅基底内部形成腔体；将侧壁保护层全部氧化，将腔体完全封闭；将第一保护层去除。此外，本发明还提供另一种带侧壁保护的腔体制造方法。本发明通过淀积重掺杂的多晶硅或者硅的氧化物的方式，在浅槽侧壁形成侧壁保护层，在后续的腔体腐蚀的过程中保护浅槽侧壁不受腐蚀，最终密封形成所需的腔体。 | ||
| 搜索关键词： | 侧壁 保护 体制 方法 | ||
【主权项】：
一种带侧壁保护的腔体制造方法，包括步骤：提供硅基底，在所述硅基底上形成第一保护层；刻蚀所述第一保护层，形成多个窗口，直至露出下方的硅基底；以所述第一保护层为掩模，刻蚀所述硅基底，在所述硅基底中形成多个浅槽；在所述第一保护层表面和所述浅槽侧壁及底部淀积第二保护层；刻蚀所述第一保护层表面和所述浅槽底部的所述第二保护层，残留在所述浅槽侧壁上的所述第二保护层形成侧壁保护层；以所述第一保护层和所述侧壁保护层为掩模，继续刻蚀多个所述浅槽，在所述硅基底中形成多个深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽，在所述硅基底内部形成腔体；采用氧化法将所述浅槽侧壁上的所述侧壁保护层全部氧化，将所述腔体完全封闭；将所述硅基底上的所述第一保护层去除。
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