[发明专利]设有电流阻绝层的发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201110272146.8 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102290512A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴哲雄;刘艳;张峻嘉;颜廷丽 | 申请（专利权）人： | 冠铨（山东）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 张维斗 |
| 地址： | 272000 山东省济宁市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种设有电流阻绝层的发光二极管，包括由下至上依次排列的n型半导体外延层、多重量子阱和p型半导体外延层，所述的p型半导体外延层上还设有掺杂硅的n型半导体外延薄层，所述的掺杂硅的n型半导体外延薄层上定义的发光区内设有电流阻绝层，所述的掺杂硅的n型半导体外延薄层和电流阻绝层上设有透明导电层，所述的透明导电层上设有p电极，所述的p电极设在电流阻绝层范围内的上方，所述的n型半导体外延层上设有n电极；根据上述发光二极管本发明提供了其制作方法。本发明设有电流阻绝层的发光二极管具有电流阻绝层致密性和硬度较为理想且制作工艺简单、成本较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 设有 电流 阻绝 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种设有电流阻绝层的发光二极管，包括由下至上依次排列的n型半导体外延层（3）、多重量子阱（4）和p型半导体外延层（5），其特征在于：所述的p型半导体外延层（5）上还设有掺杂硅的n型半导体外延薄层（6），所述的掺杂硅的n型半导体外延薄层（6）上定义的发光区内设有电流阻绝层（8），所述的掺杂硅的n型半导体外延薄层（6）和电流阻绝层（8）上设有透明导电层（7），所述的透明导电层（7）上设有p电极（9），所述的p电极（9）设在电流阻绝层（8）范围内的上方，所述的n型半导体外延层（3）上设有n电极（10）。
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