[发明专利]一种SRAM栅极尺寸的光学建模临近修正方法无效
| 申请号： | 201110272758.7 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102445834A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 魏芳;张辰明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种SRAM栅极尺寸的光学建模临近修正方法。本发明公开了一种SRAM栅极尺寸的光学建模临近修正方法，通过测试光罩的设计及模型数据的收集，建立包含有衬底信息的栅极光学临近效应模型，从而达到精准预测栅极线端间距尺寸的目的，以保证栅极的光刻工艺可以获得足够大的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 栅极 尺寸 光学 建模 临近 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM栅极尺寸的光学建模临近修正方法，包括一测试晶圆，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：利用第一光罩于测试晶圆上制备有源区，之后，环绕有源区在测试晶圆制备浅沟槽隔离区；步骤S2：利用第二光罩在有源区和浅沟槽隔离区上制备栅极；步骤S3：进行光学临近修正模型关键尺寸的数据收集，并利用该数据建立光学临近修正模型。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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