[发明专利]形成太阳能电池的选择性发射极的掩模、方法和设备无效
申请号: | 201110272840.X | 申请日: | 2011-09-15 |
公开(公告)号: | CN102447004A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 许闰成;朴胜一 | 申请(专利权)人: | SNT能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开形成太阳能电池的选择性发射极的掩模、方法和设备。根据本发明实施例的形成太阳能电池的选择性发射极的设备包括:传送装置,被配置为传送基板,其中在所述基板的上表面上形成有第一发射极层,所述第一发射极层具有在其中扩散和形成的n型杂质;工作台,从所述传送装置向所述工作台提供所述基板,并且所述工作台被配置为支撑所提供的基板;掩模,放置在所述第一发射极层的上侧并具有图案化的开口;以及发射装置,位于所述工作台的上方并将热能施加给经所述掩模被暴露的第一发射极层。 | ||
搜索关键词: | 形成 太阳能电池 选择性 发射极 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种形成太阳能电池的选择性发射极的设备,包括:传送装置,被配置为传送基板,其中在所述基板的上表面上形成有第一发射极层,所述第一发射极层具有在其中扩散和形成的n型杂质;工作台,从所述传送装置向所述工作台提供所述基板,并且所述工作台被配置为支撑所提供的基板;掩模,放置在所述第一发射极层的上侧并具有图案化的开口;以及发射装置,位于所述工作台的上方并将热能施加给经所述掩模被暴露的第一发射极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SNT能源技术有限公司,未经SNT能源技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110272840.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:石英坩埚的烧成控制装置
- 下一篇:脊椎植入物结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的