[发明专利]一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法无效
| 申请号： | 201110273396.3 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102324386A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 黄国勇 | 申请（专利权）人： | 宜兴市环洲微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 徐冬涛 |
| 地址： | 214200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，首先，对硅片进行酸腐蚀去除硅，得到一定厚度的硅片；其次，对厚度变薄的硅片进行碱腐蚀至硅片的表面致密均匀；最后，对表面致密均匀的硅片进行二次酸腐蚀，得到符合厚度要求、表面致密均匀的硅片。本发明利用酸腐蚀能快速去除硅及碱腐蚀能获得致密均匀的表面这一原理，采用腐蚀方式对硅片进行处理，获得厚度符合要求、表面致密均匀的硅片；腐蚀工艺流程具有工艺简单、操作简易、能耗小、硅片一致性好、表金欧姆接触面积大和破片率低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 固体 放电 芯片 制造 工艺 硅片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是它包括以下步骤：首先，对硅片进行酸腐蚀去除硅，得到一定厚度的硅片；其次，对厚度变薄的硅片进行碱腐蚀至硅片的表面致密均匀；最后，对表面致密均匀的硅片进行二次酸腐蚀，得到符合厚度要求、表面致密均匀的硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
