[发明专利]一种直接在LED芯片上制造ESD保护电路的方法无效
| 申请号： | 201110273780.3 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102299141A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘波波;王旭明;李培咸;白俊春;王晓波;孟锡俊;郭迟 | 申请（专利权）人： | 西安中为光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种直接在LED芯片上制造ESD保护电路的方法，首先在单个芯片上隔离出ESD保护电路所占的外延片部分，然后使用平面工艺刻蚀掉该隔离出的外延片n-GaN层以上且不包括该层的部分，随后在n-GaN层做肖特基接触，最后将芯片上主发光区的P++GaN电极和保护区的n-GaN电极连接；具有微操作性好且不容易造成芯片局部损坏的优点，该方法是针对特定的外延层结构，制造出的ESD保护电路具有更好的工艺保密性，由于ESD保护电路没有受到n GaN层的影响，因此不必考虑发光区对保护电路的内电导效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 led 芯片 制造 esd 保护 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种直接在LED芯片上制造ESD保护电路的方法，其特征在于：首先在单个芯片上隔离出ESD保护电路所占的外延片部分，然后使用平面工艺刻蚀掉该隔离出的外延片n‑GaN层以上且不包括该层的部分，随后在n‑GaN层做肖特基接触，最后将芯片上主发光区的P++GaN电极和保护区的n‑GaN电极连接。
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